智通财经APP获悉，国泰海通发布研报称，HBM(高频宽存储器，High Bandwidth Memory)是将DRAM通过先进封装时间堆叠而成，与GPU整合于合并块芯片上;当今AI做事器是HBM最焦躁的市集，将来智能驾驶汽车市集也会大批遴荐HBM。我国HBM产业不停发展，当今能竣事限度量产的是HBM2、HBM2E，有望在2026E/2027E折柳竣事HBM3、HBM3E冲突。固然我国的HBM产业发展较国外龙头公司过期较多，但该行觉得追随下流Fab、缱绻公司、修复公司、材料公司的共同勤勉，原土HBM产业会不停上前发展，其中中枢之一就是键合堆叠顺次的冲突。
国泰海通主要不雅点如下：
SK Hynix为宇宙HBM龙头
笔据SemiWiki征引Trendforce数据，2023年宇宙HBM市集SK Hynix、Samsung、Micron的市占折柳为55%、41%、3%。SK Hynix 2013年推出宇宙第一颗TSV通孔的HBM家具，2017/2019/2021年折柳推出HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)，2023年4月完成12层HBM3(24 GB)的功能考据，2023年8月推出业界高性能的第五代8层HBM3E家具，2024年10月12层HBM3E家具(36 GB)启动限度量产。2024年底公司CEO Kwak提到，16层HBM3E家具正在研发中，不错达到48 GB容量。
SK Hynix的HBM堆叠工艺从TC-NCF、MR-MUF发展到Advanced MR-MUF
早在2000年前后公司启动斥地晶圆级WLP时间，2009年研发TSV通孔时间接续多层DRAM晶圆，2013/2016年的HBM/HBM2家具均遴荐TC-NCF时间，HBM2E(2019年)、8层HBM3(2021年)遴荐MR-MUF时间，12层HBM3(2023年)、HBM3E(2023年)遴荐Advanced MR-MUF时间，研发的16层HBM3E家具也会遴荐Advanced MR -MUF时间进行限度量产，同期对搀杂键合(hybrid bonding)时间进行工艺的时间考据。
Samsung和SK Hynix齐有我方的HBM供应链
①、Samsung的产线修复主淌若日本的Toray、Sinkawa，和韩国SEMES;②、SK Hynix主淌若HANMI Semiconductor、ASMPT、Hanhwa Precision Machinery。当今，HANMI Semiconductor概况占据宇宙TC Bonder市集限度65%的份额，而在HBM3E的TC Bonder范畴则实在占据90%控制的份额。SEMES的TC Bonder相等擅长TC-NCF工艺范畴;HANMI Semiconductor则是从2017年启动和SK Hynix共同斥地TC Bonder用于MR-MUF工艺，但同期也兼容TC-NCF工艺。
风险教唆：时间研发经过慢无法竣事关节冲突、下流需求放缓等。
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